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.真空蒸镀

真空蒸镀是真空条件下在1.33x10-3至1.33x10-4Pa的压力下，用电子束等热源加热沉积材料使之蒸发，蒸发的原子或分子直接在注塑加工件表面形成沉积层。但对于难熔的金属碳化物和氮化物进行直接蒸发是有困难的，并且有使化合物分解的倾向。为此，开发了引入化学过程的反应蒸镀，例如，气相沉积设备价格，用电子枪蒸发钛金属，并将少量和等反应气体导入蒸发空间，使钛原子和反应气体原子在工件表面进行反应，沉积TiC涂层。

真空蒸镀多用于透镜和反射镜等光学元件、各种电子元件、塑料注塑加工制品等的表面镀膜，在表面硬化方面的应用不太多。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”CVD的工艺较多，主要有：

① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，气相沉积设备厂商，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。

② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），小型气相沉积设备，是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。

离化PVD技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。

离化PVD过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。

蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，气相沉积设备，从而形成沉积粒子的热发射，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化PVD 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 PECVD），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。

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