直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。

直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，气相沉积设备厂家，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，气相沉积设备，并会造成积累放电，破坏正常的反应。

化学气相沉积就是，利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。其过程如下：

（1）反应气体向工件表面扩散并吸附。

（2）吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。

（3）生成物质点聚集成晶核并长大。

（4）表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。

（5）沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散，而形成镀层。

CVD法是，气相沉积设备厂商，将工件置于有氢气保护的炉内，加热到800℃以上高温，向炉内通入反应气体，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中，其覆膜厚度一般为6-10μm。

等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，小型气相沉积设备，然后通进适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。

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